离子注入改进硅光伏特性研究的发展动态

【摘要】：简述了利用缺陷促进硅光吸收特性的发展历史,概括了用离子注入引入局域缺陷,改进硅光吸收的技术,介绍了多国学者针对局域缺陷改进硅光吸收技术的研究结果及发展趋势。 【作者单位】： 中国科学院半导体研究所
【关键词】： 硅 红外吸收 光伏效应
【分类号】：TN304.12
【正文快照】： 1　引言硅是半导体生产中最常用的材料。用硅材料制作的集成电路已被广泛应用于各种现代化仪器设施。硅除了用于微电子器件外,还被用于太阳能电池、射线探测器和光探测器,这是由于硅能够吸收光产生电子空穴对,这些光生电子空穴对在Ｐ-Ｎ结处自建电场或在外加电场的分离下形成

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