不同钝化结构的HgCdTe光伏探测器暗电流机制

【摘要】：在同一HgCdTe晶片上制备了单层ZnS钝化和双层 (CdTe +ZnS)钝化的两种光伏探测器 ,对器件的性能进行了测试 ,发现双层钝化的器件具有较好的性能 .通过理论计算 ,分析了器件的暗电流机制 ,发现单层钝化具有较高的表面隧道电流 .通过高分辨X射线衍射中的倒易点阵技术研究了单双层钝化对HgCdTe外延层晶格完整性的影响 ,发现单层ZnS钝化的HgCdTe外延层产生了大量缺陷 ,而这些缺陷正是单层钝化器件具有较高表面隧道电流的原因 【作者单位】： 中国科学院上海技术物理所功能材料器件中心 中国科学院上海技术物理所功能材料器件中心 中国科学院上海技术物理所功能材料器件中心 中国科学院上海技术物理所功能材料器件中心 中国科学院上海技术物理所功能材料器件中心 中国科学院上海技术物理所功能材料器件中心
【关键词】： HgCdTe 光伏探测器 钝化 倒易点阵 暗电流
【分类号】：TN205
【正文快照】： 1　引言HgCdTe光伏探测器的性能在很大程度上取决于它的p n结特性 ,p n结特性决定了探测器的动态阻抗和热噪声 ,从而决定了探测器的性能 .零偏压电阻面积乘积 (R0 A)是衡量探测器性能的重要指标 ,而决定结特性好坏和R0 A值大小的是p n结的暗电流机制 .在低温下MCT光电二极管

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