CIS/CIGS基黄铜矿系光伏材料研究进展

【摘要】：CuInSe2(CIS)/Cu(In,Ga)Se2(CIGS)半导体材料具有出色的光伏性能、丰富的缺陷物理内涵以及制备上的挑战,20多年来一直受到太阳能电池界和材料物理界的极大关注。介绍了CIS/CIGS基黄铜矿系光伏材料的微结构、缺陷物理模型。阐明了缺陷类型与材料电学性能的关系:Cu空位VCu是p型材料中的主要受主,Se空位VSe是n型材料中的主要施主;以及Na元素的作用:优化膜的形貌、提高膜的导电率、还能减小缺陷的浓度。综述了两种常用制备方法(蒸镀法、溅射法)的研究进展。 【作者单位】： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所能源科学与技术室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所能源科学与技术室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所能源科学与技术室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所能源科学与技术室
【关键词】： 光伏材料 CIS/CIGS 缺陷 蒸镀法 溅射法
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 20世纪70年代早期Wagner等[1]以CuInSe2(CIS)黄铜矿单晶作为吸收层得到了转化效率高达12%的太阳能电池。几年后Kazmerski等[2]采用共蒸法制备的薄膜CIS,证明了其是多晶化合物。此后的20多年间,廉价、高效、性能稳定的CIS基薄膜太阳能电池受到世界光伏界的广泛关注。吸收层材料

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