n~+-p-H gCdTe光伏探测器的化学硫化

【摘要】：首次采用Na2S.9H2O在n+-p-HgCdTe表面进行化学硫化,然后溅射ZnS于化学硫化层上的钝化方法。I-V特性曲线显示,经过化学硫化的n+-p-HgCdTe器件的漏电流有所下降。分析表明,化学硫化由于抑制了表面氧化而降低了表面态密度,避免了相应漏电流的形成。 【作者单位】： 中国空空导弹研究院 中国空空导弹研究院 中国空空导弹研究院
【关键词】： n+-p-HgCdTe 光伏探测器 化学硫化 I-V特性
【分类号】：TN215
【正文快照】： 0引言HgCdTe是一种三元混晶半导体材料,是CdTe和HgTe的连续固熔体。HgCdTe的禁带宽度随其组分值x的改变而改变,因此可用于制备不同响应波段的红外探测器,满足1~3μm,3~5μm和8~14μm三个大气窗口的红外探测,这使其在整机设计中可以最有效地利用辐射信号的能量,使整机性能最优

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