InGaAs/InP光伏探测器阵列钝化工艺及均匀性研究

【摘要】：通过对气态源分子束外延结合常规器件工艺研制的晶格匹配InGaAs/InP光伏型探测器阵列光响应和暗电流特性的表征和比较,研究了聚酰亚胺和氮化硅两种钝化工艺对阵列器件性能和均匀性的影响,并对两种不同钝化膜阵列器件后续封装的可靠性进行了比较和分析。实验结果表明,气态源分子束外延材料具有良好的均匀性;氮化硅钝化器件总体性能上优于聚酰亚胺钝化器件。引线封装实验显示,SiN钝化膜有较好的抗冲击和热稳定性,具有更好的工艺相容性。 【作者单位】： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
【关键词】： InGaAs 光伏探测器 焦平面阵列 钝化 气态源分子束外延
【分类号】：TN29
【正文快照】： 1引言短波红外InGaAs光伏探测器具有响应速度快、量子效率高、灵敏度高,以及可在较高的环境温度和强辐照环境下工作等优点[1,2],与InP晶格匹配In0.53Ga0.47As材料可覆盖1~1.7μm的近红外波段,被广泛应用于光纤通信、卫星遥感、夜视、红外成像、激光测距、有害气体检测,以及环

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