短脉冲光在光伏光折变晶体中写入和擦除光折变光栅理论研究

【摘要】：利用GC Valley的准连续光(Quasi-cw)近似模型,研究了短脉冲激光(纳秒ns量级)在光伏光折变材料LiNbO3晶体中写入和擦除光折变光栅的过程,给出了空间电荷场随时间变化的表达式.理论研究表明,空间电荷场的形成和擦除与两个时间参量有关,在考虑或者不考虑光生伏打效应两种情况下,这两个参量随擦除光强的变化有基本相同的变化规律,光栅的写入和擦除有相同的结果.同样,擦除一个光栅所需的光能量在两种情况下也有相同的结果.因此,在短脉冲光入射光折变晶体材料情况下,考虑光生伏打效应与不考虑光伏效应,对短脉冲光在光折变LiNbO3晶体中写入和擦除光栅基本没有影响. 【作者单位】： 聊城大学物理科学与信息工程学院;上海大学理学院物理系;
【关键词】： 非线性光学 光折变效应 光伏效应 光栅 准连续光近似 空间电荷场
【基金】：国家自然科学基金(60377017、60571062) 上海市重点学科基金(T0104) 聊城大学科研基金(X061017)资助
【分类号】：O437
【正文快照】： 0引言近年来短脉冲光与光折变材料的相互作用一直是很多学者研究的热点[1-13],G C Valley在1983年提出的准连续光(Quasi-cw)和瞬态(Instantaneous)脉冲光模型[2]被很多学者采用.在Valley的模型中没有考虑光生伏打效应的影响,但光伏效应在某些材料中是确实存在的,其中最常用的

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