界面缺陷态密度与衬底电阻率取值对硅异质结光伏电池性能的影响

【摘要】：在异质结前界面缺陷态密度Dit1和异质结背界面缺陷态密度Dit2均取不同值时,对p型单晶硅(c-Si(p))为衬底的硅异质结太阳电池的衬底电阻率ρ与电池性能的关系进行了数值研究.结果表明:衬底电阻率的最优值ρop取决于前界面缺陷态密度Dit1,且ρop随着Dit1的增大而增大;当ρρop时,背界面缺陷态密度Dit2对衬底电阻率的可取值范围具有较大影响,Dit2越大衬底电阻率的可取值范围越小. 【作者单位】： 宁波大学光学与光电子技术研究所;江苏大学光信息科学与技术系;常州亿晶光电科技有限公司;
【关键词】： 硅异质结太阳电池 衬底电阻率 c-Si(p)/a-Si H界面缺陷
【基金】：国家自然科学基金(批准号:60977048) 浙江省“钱江人才计划”(批准号:2007R10015) 宁波市重点实验室基金(批准号:2007A22006) 宁波大学王宽成幸福基金资助的课题~~
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 1.引言对于以p型单晶硅为衬底的硅异质结(SHJ)太阳电池,异质结界面特性对电池性能有显著的影响[1,2].如衬底电阻率可变时异质结界面态对太阳电池性能的作用与衬底p型单晶硅(c-Si(p))层耗尽区(SCR)厚度的变化有关[3].然而,在异质结界面态与太阳电池性能的关系中,对c-Si(p)衬底

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