台面型InP/InGaAs PIN光伏探测器的p-InP低阻欧姆接触

【摘要】：研究了电子束蒸发淀积的非合金膜系Au/Pt/Ti/p-InP(2×1018cm-3)接触的物理特性,通过450℃、4 min的快速退火,获得了欧姆接触,其比接触电阻为7.3×10-5Wcm2。接触电极退火后,采用离子溅射法淀积加厚电极Cr/Au。利用俄歇电子能谱(AES)进行深度剖面分析,表明Pt层能够相对有效地阻挡Au和InP的互扩散,但仍会有少部分的Au穿透Pt层进入InP层;金属与p-InP低阻欧姆接触的形成由界面处金属和InP的化学及其冶金学反应决定,并且少量的In-Au化合物的形成可能有益于接触特性的改善。结果表明,采用合适的退火条件可以制备出低阻、表面光滑、可靠性高的欧姆接触。 【作者单位】： 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室;中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室;中国科学院研究生院;中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室;
【关键词】： 传输线模型(TLM) p-InP 欧姆接触 比接触电阻 AES
【基金】：国家自然科学基金重点资助项目(61007067)
【分类号】：TN304
【正文快照】： (1.中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海200083;2.中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海200083;3.中国科学院研究生院,北京100049;4.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050)L

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