GaSb/GaAs异质结热光伏电池材料的MBE生长

【摘要】：利用分子束外延方法(MBE)在GaAs(001)衬底上外延生长了GaSb薄膜,并对GaSb薄膜进行了高温退火研究,利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、原子力显微镜(AFM)、Hall效应(Hall Effect)和低温光荧光谱(LTPL)等手段对薄膜的晶体质量、电学性质和光学性质进行了研究。发现直接生长的GaSb膜表面平整,空穴迁移率较高。研究发现30 s、650℃的快速热退火可消除位错等缺陷,显著提高GaSb薄膜的光学质量。 【作者单位】： 云南师范大学太阳能研究所 可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室;中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室;
【关键词】： GaSb 热光伏电池 分子束外延(MBE)
【基金】：国家自然科学基金(61006085,61176127) 国家国际科技合作重点项目(2011DFA62380) 教育部博士点基金(20105303120002) 云南省社会发展科技计划(2009CD045)
【分类号】：TN304.05
【正文快照】： 1引言热光伏技术(TPV)是将高温热源中的红外辐射能通过半导体P/N结直接转换成电能的技术。目前热光伏材料主要以GaSb、InGaAsSb、InAs/GaSb超晶格等材料为主,需要在晶格匹配的GaSb衬底上生长[1-4]。但由于GaSb衬底价格昂贵、工艺复杂等原因,寻求在新的基片如GaAs衬底上生长,从

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