清洗工艺对金属辅助刻蚀制备黑硅及其光伏器件的影响

【摘要】：为了减少黑硅表面缺陷对黑硅太阳电池性能的影响,本文以金属纳米颗粒辅助刻蚀制备的156 mm×156 mm多晶黑硅为研究对象,分别采用传统RCA清洗工艺中SC1清洗方法及其改进方法清洗黑硅,并通过SEM、少子寿命、IV、QE等手段表征黑硅微观结构及其光伏器件电性能。结果表明:改进清洗方法比SC1具有更好的清洗效果,能够有效去除黑硅中的金属残留,同时修正黑硅表面微结构,黑硅的少子寿命由1.98μs提高到3.09μs。对于156mm×156mm多晶黑硅太阳电池,改进方法清洗的黑硅电池比SC1方法清洗黑硅太阳电池短路电流提升62m A,平均转化效率提升了0.16%,达18.01%。 【作者单位】： 江苏辉伦太阳能科技有限公司新能源研究中心;南京航空航天大学材料科学与技术学院;
【关键词】： 黑硅 清洗工艺 少子寿命 太阳电池
【基金】：中小企业发展专项资金(SQ2013ZOC100014)
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： (Received 21 August 2015,accepted 30 September 2015)1引言在晶硅表面进行织构化处理形成具有纳米结构的黑硅,可极大的提升硅表面的光吸收率,从而提高晶硅太阳电池的转换效率,这使黑硅的制备技术及相关研究受到了广泛的关注[1,2]。目前,人们己经开发出多种黑硅制备技术如飞

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