基于热光伏电池GaSb多晶薄膜的可控生长（英文）

【摘要】：采用物理气相沉积(PVD)法在ITO透明导电衬底上制备GaSb多晶薄膜.研究了衬底温度及薄膜厚度对GaSb薄膜结构特性、电学特性以及光学特性的影响.在一定条件下生长的GaSb薄膜择优取向由GaSb(111)晶向转变为GaSb(220)晶向,这是在玻璃衬底上生长GaSb薄膜没有发现的现象.择优取向改变为(220)晶向的GaSb薄膜具有更高的霍尔迁移率.因为这种薄膜材料具有更少的晶粒间界和更少的缺陷.经优化后的GaSb薄膜的光学吸收系数在104cm~(-1)以上,适用于热光伏薄膜太阳电池中. 【作者单位】： 南开大学电子信息与光学工程学院电子科学与工程系;天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室;
【关键词】： GaSb薄膜 择优取向 热光伏(TPV)
【基金】：Supported by the National High Technology Research and Development Program of China(2011AA050513) National Basic Research Program of China(2012CB934201)
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： IntroductionThermophotovoltaic devices are basically photovolta-ic solar cells that utilize the thermal infrared radiation ofa heated source to directly generate electric power.Sys-tem modelling and analysis indicates that low-bandgap(0.25 to 0.7 e V)TPV

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