Fe_3O_4-Si侧向光伏特性的研究

【摘要】：文章介绍利用脉冲激光沉积技术在单晶(100)Si衬底上生长出高质量的Fe3O4择优取向(111)薄膜,并对其侧向光伏特性作了详细研究,尤其是侧向光伏电压的位置关系及其与薄膜厚度、激光的功率的关系.实验结果表明,Fe3O4(20nm)-Si结构的侧向光伏电压值最大,其位置灵敏度高达26.32mV·mm-1,而且出现垂直位移的情况下,其位置灵敏度在减小,对应着非线性度也增大;Fe3O4薄膜厚度的增大不利于提高其位置灵敏度,但激光功率的增大有助于增大其位置灵敏度. 【作者单位】： 哈尔滨工业大学物理系;
【关键词】： FeO 侧向光伏 半导体
【基金】：教育部高等学校大学物理课程教学指导委员会2014高等学校教学研究项目(DWJZW201402db) 黑龙江高等学校教改工程项目(JG2014010706)
【分类号】：O484
【正文快照】： 光电效应的发现和高纯半导体工艺的实现,为太阳能的合理利用作足了准备.光电效应是指在某些材料内部的电子会由于吸收光的能量而被激发出来形成电流,即光产生电.光生伏特效应是指光照射在不均匀半导体或者半导体异质结产生电位差的现象.光电器件不仅可以把源源不断的太阳能转

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