单结GaAs量子阱太阳能电池

【摘要】：本文介绍了我们采用金属有机化学气象沉积(MOCVD)方法制备的单结GaAs量子阱太阳能电池。X射线双晶衍射表明电池中的材料缺陷较少,具有良好结晶质量与周期性。光谱响应实验表明量子阱结构的引入可以扩展吸收光谱。与无量子阱结构的电池相比,量子阱电池增加了输出电流,但同时也带来了开路电压的下降。量子阱电池在长波范围内短路电流明显增加,使得量子阱电池可以代替三结电池中的中间电池,优化电池结构设计,提高三结电池的转换效率。 【作者单位】：东南大学电子工程系 河南大学物理与信息光电子学院 中国电子科技集团公司第十八研究所 东南大学电子工程系 东南大学电子工程系
【关键词】：量子阱 太阳电池 MOCVD
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： l前言 GalnP／GaAs／Ge三结太阳能电池的转换效率已经接近30％(AMO)[1，2]．进一步提高电池的效率受到 材料禁带宽度与晶格匹配的限制。如何解决这个问题一直是人们的努力目标。英国帝国理工学院的 Barnham等人在1990提出了量子阱太阳能电池的设想，并研制出世界上第一个量子

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