激光诱导晶化法制备太阳能电池纳米硅薄膜

【摘要】：非晶硅(a-si)薄膜太阳电池比起晶体硅太阳电池有诸多优势。但是同时,a-si的缺点也是很明显的,主要就是初始光电转换效率较低,稳定性较差.为此,我们在a-si薄膜的基础上引入再结晶技术,利用激光诱导晶化的方法将沉积好的a-si薄膜通过退火转变为长程有序的纳米硅(nc-si)薄膜。他具有很好的温度稳定性,能在高温下稳定工作,并且反向漏电流很小,在nA数量级。nc-si材料的禁带宽度为1.7eV,非常接近单晶硅的禁带宽度(1.12eV),这也是他的优点之一。同时nc-si薄膜太阳电池的电子迁移率也接近单晶硅薄膜太阳电池,比非晶硅薄膜太阳电池要高1～2个数量级。国内外学者通过理论分析,得出纳米硅薄膜太阳电池的理论转换效率可达31.7%[1]。 【作者单位】：上海大学材料科学与工程学院
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 另外,激光诱导晶化法主要是利用瞬间激光脉冲产生的高能量入射非晶硅薄膜表面,仅在薄膜表层产生热能效应,使非晶硅薄膜在瞬间达到1000℃左右,从而实现非晶硅向微晶硅的转变[2]。在此过程中,激光脉冲的瞬间能量被非晶硅薄膜吸收并转化为相变能,因此不会有过多的热能传导到薄膜

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