太阳能电池用硅材料中痕量金属杂质含量的ICP-MS分析方法研究
太阳能电池用硅材料中痕量金属杂质含量的ICP-MS分析方法研究【摘要】:太阳能是人类能够获得的最清洁的能源之一,现已得到高度重视和广泛应用。到目前为止,太阳能光电工业基本上是建立在
【学位授予单位】:西安电子科技大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2010
【分类号】:O657.63
【目录】:
- 摘要3-4
- Abstract4-7
- 第一章 前言7-11
- 1.1 太阳能电池用硅材料中痕量杂质分析的重要意义7-8
- 1.2 高纯材料的痕量分析8-9
- 1.3 本文的基本构想和研究内容9-11
- 第二章 文献综述11-19
- 2.1 世界能源概况11-12
- 2.2 太阳能的利用12-15
- 2.2.1 江南体育在线直播观看 技术12-13
- 2.2.2 世界光伏产业的发展状况13-15
- 2.3 太阳能电池及太阳能级硅材料的发展状况15-19
- 2.3.1 太阳能电池原理简介15
- 2.3.2 太阳能电池分类15-16
- 2.3.3 太阳能电池产业的发展对太阳能级硅材料的需求十分巨大16-19
- 第三章 晶体硅中痕量金属杂质分析19-33
- 3.1 引言19
- 3.2 硅中的金属杂质19-24
- 3.2.1 金属杂质在硅中的存在形式19-20
- 3.2.2 金属在硅中的固溶度20-21
- 3.2.3 硅中金属的扩散系数21-23
- 3.2.4 金属沉淀23-24
- 3.3 金属杂质对太阳能电池性能的影响24-25
- 3.4 太阳能级多晶硅的纯度及相关技术要求25-27
- 3.4.1 棒状、块状硅26
- 3.4.2 粉状多晶硅26-27
- 3.4.3 碳头料27
- 3.4.4 粉状料27
- 3.5 高纯硅中痕量杂质分析技术进展27-30
- 3.5.1 质谱的无机痕量分析27-28
- 3.5.2 二次离子质谱(SIMS)法28
- 3.5.3 高解析辉光放电质谱(GDMS)法28-29
- 3.5.4 电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法29-30
- 3.6 太阳能级硅材料中痕量杂质分析方法的比较30-33
- 第四章 电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)技术33-43
- 4.1 引言33
- 4.2 ICP-MS 的发展33-34
- 4.3 ICP-MS 的特点34-35
- 4.4 ICP-MS 的基本原理35-40
- 4.4.1 炬管和ICP 离子源36
- 4.4.2 等离子体和质谱仪之间的接口36-37
- 4.4.3 离子透镜系统37-38
- 4.4.4 四级杆38-40
- 4.4.5 离子检测器40
- 4.5 与仪器相关的概念40-43
- 第五章ICP-MS 实验方法分析及结论43-55
- 5.1 引言43
- 5.2 实验部分43-44
- 5.2.1 仪器及主要工作参数的选择43
- 5.2.2 主要试剂和溶液的配制43-44
- 5.2.3 器皿及工作室44
- 5.2.4 样品处理44
- 5.3 干扰分析44-49
- 5.3.1 同量异位素干扰44-45
- 5.3.2 多原子离子干扰45
- 5.3.3 氧化物干扰45-46
- 5.3.4 双电荷干扰46
- 5.3.5 基体抑制干扰46
- 5.3.6 物理效应干扰46-47
- 5.3.7 ICP-MS 的稳定性47
- 5.3.8 其它干扰47-48
- 5.3.9 待测元素中潜在的谱干扰及同位素的选择48-49
- 5.4 结果与讨论49-53
- 5.4.1 基体影响及内标选择49-51
- 5.4.2 方法的精密度及检测限51-52
- 5.4.3 加标回收实验52-53
- 5.5 小结53-55
- 第六章总结和展望55-57
- 6.1 全文总结55-56
- 6.2 存在的问题和展望56-57
- 致谢57-59
- 参考文献59-63
- 研究成果63-64
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