首页 > 学术论文

HIT太阳能电池专利技术分析

来源:论文学术网
时间:2024-08-18 13:10:21
热度:

HIT太阳能电池专利技术分析【摘要】:为了解决晶体硅电池转换成本高效率高以及薄膜太阳能电池成本低效率低的难题,原日本三洋公司从1996年开发带有本征薄层异质结(hetero-jun

【摘要】:为了解决晶体硅电池转换成本高效率高以及薄膜太阳能电池成本低效率低的难题,原日本三洋公司从1996年开发带有本征薄层异质结(hetero-junction with intrinsic thin layer,HIT)电池,其中硅表面钝化是影响其光电转换效率的主要因素。本文主要分析了目前重要企业和研究机构在进行硅表面钝化中采用的各种工艺手段;此外,还重点分析了HIT载流子输出的改进。 【作者单位】: 国家知识产权局专利局专利审查协作河南中心;
【关键词】HIT太阳能电池 专利
【分类号】:TM914.4-18
【正文快照】: HIT[1]太阳电池结构的特色是在p+或n+型a-Si和n型c-Si之间夹有一层极薄的本征a-Si层(如图1)。这一结构基于三洋(sanyo electric)在制备高质量a-Si薄膜和a-Si电池时采用的低等离子体/热损伤沉积技术[2]。CONVERGE软件中喷射模型不考虑氢气的喷射压力。直接将氢气的质量流量作为

您可以在本站搜索以下学术论文文献来了解更多相关内容

HIT太阳电池的单晶硅表面腐蚀工艺的研究    曾祥斌;宋志成;宋佩珂;王慧娟;

HIT太阳能电池的发展概况    史少飞;吴爱民;张学宇;姜辛;

HIT电池缓冲层的关键技术发展概述    白晓宇;郭群超;李红波;

n型衬底上双面HIT太阳电池背场的模拟优化    张研研;任瑞晨;史力斌;

模拟分析发射层带隙及缺陷态对HIT太阳电池性能的影响    张研研;任瑞晨;史力斌;

纳米硅薄膜制备及HIT太阳能电池    张心强;张维佳;武美伶;贾士亮;刘浩;李国华;

HIT太阳电池中ITO薄膜的结构和光电性能    任丙彦;刘晓平;许颖;王敏花;廖显伯;

松下HIT太阳能电池能量转换效率达25.6%创纪录    

HIT太阳电池研究现状    孙启利;胡志华;廖华;林娟;安家才;朱勋梦;王文仪;

HIT太阳能电池性能的模拟计算    马斌;冯晓东;

2013 HIT:机遇与挑战并存    

P型硅衬底异质结电池制备和氢气退火本征非晶硅层对HIT电池性能的影响    司嘉乐

HIT太阳电池硅片处理及复合透明导电膜的研究    王淑珍

HIT太阳电池的制备与性能研究    齐晓光

ITO薄膜的制备与研究及其在HIT太阳电池上的应用    温迪

N型衬底HIT太阳电池计算机模拟及本征层钝化作用研究    张燕

单晶硅表面钝化及HIT电池性能提升研究    杨静

Baidu
map