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铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池的制备

来源:论文学术网
时间:2024-08-18 21:51:16
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铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池的制备【摘要】:太阳能作为一种新型清洁能源,是未来社会的主要能源之一。目前市场上仍以Si太阳电池为主,Cu(InGa)Se2(CIGS)薄膜太阳能

【摘要】:太阳能作为一种新型清洁能源,是未来社会的主要能源之一。目前市场上仍以Si太阳电池为主,Cu(InGa)Se2(CIGS)薄膜太阳能电池具有转换效率高、廉价、稳定等特点。随着资源和环境的要求,以CIGS为主要材料的太阳电池市场化成为必然。三步共蒸发法是目前应用最广泛也是最受研究人员青睐的工艺,该方法制备的CIGS薄膜太阳能电池的效率已高达19.99%。而溅射硒化法,工艺流程容易控制,适合产业化生产。目前国外电池组件的转化效率一般在12-13%,我国的研究还刚刚起步,和国外水平还有很大差距。 本论文主要研究一种操作简单、可控、适合产业化需要的技术工艺,即溅射制备合金预制膜后硒化的制备方法。首先,在不锈钢衬底上制备厚度约1微米的Mo电极,在溅射过程中通过改变工作气压,溅射双层Mo金属膜,使Mo电极具有类似层状结构,消除了内应力的影响,从而提高了Mo电极和玻璃衬底之间,及其和CIGS吸收层之间的附着力。然后,在沉积有Mo电极的玻璃衬底上,通过磁控溅射的方法制备约700纳米厚度的Cu(InGa)预制层薄膜,靶材采用自制的Cu(InGa)合金靶。硒化采用在低温和高温过程依次进行的2步方法,采用固态硒源,避免了剧毒的H2Se气体的生成。通过在低温区保温30分钟,再在高温区保温25分钟,制备出了性能较好的CIGS吸收层薄膜,具有(112)晶面择优取向,显示明显的黄铜矿单一结构。薄膜表面平整,晶粒大小均匀、排列紧密。分别用化学水浴法和真空蒸镀法制备CdS窗口层。分析比较两种方法制备出的CdS薄膜,发现采用真空蒸镀法制备的CdS薄膜的透光性高于化学水浴法制备的CdS薄膜。最后,用直流磁控溅射的方法,制备一定厚度的Al电极,完成了CIGS薄膜太阳电池的制备。对器件的性能做了测试分析,电池两端开路电压大概在30-40mv。该研究采用的CIGS薄膜太阳能电池的制备工艺简单、过程容易控制、设备和材料费用低,没有采用剧毒的气源,适合大规模产业化的要求,为以后进一步的研究开发做了技术储备。 【关键词】:CIGS薄膜太阳能电池 磁控溅射 真空蒸镀法 固态硒源 硒化
【学位授予单位】:东北大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2011
【分类号】:TM914.42
【目录】:
  • 摘要5-6
  • Abstract6-11
  • 第1章 绪论11-22
  • 1.1 引言11-12
  • 1.2 太阳能电池的发展现状12-13
  • 1.3 太阳能电池的工作机理13-15
  • 1.4 太阳能电池分类15-17
  • 1.4.1 硅基太阳能电池15-16
  • 1.4.2 多元化合物薄膜太阳能电池16
  • 1.4.3 有机薄膜类太阳能电池16-17
  • 1.4.4 纳米晶薄膜太阳能电池17
  • 1.5 CIGS太阳能电池17-21
  • 1.5.1 CIGS太阳能电池的发展现状17
  • 1.5.2 CIGS太阳能电池的结构17-19
  • 1.5.3 CIGS薄膜的制备方法19-21
  • 1.5.4 CdS薄膜的制备方法21
  • 1.6 本文的主要工作21-22
  • 第2章 实验原理和设备22-35
  • 2.1 真空蒸发镀膜原理22-23
  • 2.2 磁控溅射原理23-24
  • 2.3 薄膜生长24-25
  • 2.3.1 薄膜生长机理24
  • 2.3.2 薄膜生长原理24-25
  • 2.4 化学水浴法(CBD)25-27
  • 2.4.1 CBD原理25-26
  • 2.4.2 CBD的微观机制26-27
  • 2.5 实验设备27-28
  • 2.6 实验原料28
  • 2.7 基片28-29
  • 2.7.1 衬底的选择28
  • 2.7.2 基片的清洗28-29
  • 2.8 真空度的确定29-31
  • 2.9 薄膜性能表征31-35
  • 2.9.1 薄膜厚度测量方法31-32
  • 2.9.2 X射线衍射(XRD)分析32-33
  • 2.9.3 扫描电镜(SEM)和能谱(EDS)分析33
  • 2.9.4 薄膜光学性能的测量33
  • 2.9.5 薄膜电阻的测量33-35
  • 第3章 CIGS太阳能电池薄膜的制备及表征35-53
  • 3.1 Mo电极层36-38
  • 3.1.1 Mo电极层的优越性36
  • 3.1.2 Mo电极层的制备36-37
  • 3.1.3 Mo电极层的表征及结果分析37-38
  • 3.2 光吸收层(CIGS)38-46
  • 3.2.1 CIGS制备方法选择38-39
  • 3.2.2 光吸收层(CIGS)的制备39-41
  • 3.2.3 CIG的表征及结构分析41-42
  • 3.2.4 光吸收层(CIGS)的表征及结果分析42-46
  • 3.3 窗口层(CdS)46-51
  • 3.3.1 CdS的性质46-47
  • 3.3.2 CdS薄膜的制备47-49
  • 3.3.3 CdS薄膜的表征及结果分析49-51
  • 3.4 Al电极的制备51-53
  • 第4章 CIGS薄膜太阳能电池性能表征53-58
  • 4.1 太阳能电池元件的性能表征53-54
  • 4.2 CIGS薄膜太阳电池的制备、表征54-55
  • 4.2.1 CIGS薄膜太阳能电池的制备54
  • 4.2.2 CIGS薄膜太阳能电池的表征54-55
  • 4.3 工作分析55-57
  • 4.4 展望57-58
  • 第5章 结论58-59
  • 参考文献59-64
  • 致谢64


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