β—FeSi_2(n)/a-Si(i)/c-Si(p)/μ_c-Si(p~+)异质结太阳能电池的模拟与优化

【摘要】：运用AFORS-HET软件对β-FeSi2(n)/a-Si(i)/c-Si(p)/μ_c-Si(p~+)HIT型异质结太阳能电池的性能进行了模拟,并对各层参数进行了优化。模拟结果表明,在FeSi_2(n)/cSi(p)结构上加上本征层和背场,能显著地提高电池的性能。加入缺陷并优化各项参数后,电池的最后参数为V_(OC)=647.7 mV,JSC=42.29 mA.cm~(-2),FF=75.32%,EFF=20.63%,β-FeSi_2(n)/c-Si(p)太阳能电池的效率提高了2.3%。 【作者单位】： 太原科技大学应用科学学院;
【关键词】： afors-het β-FeSi_ 少数载流子 本征层 背场
【分类号】：O611.3;TM914.4
【正文快照】： 〇弓丨言 异质结太阳能电池的效率达到了2〇%。后来,随着经济的发展,人OT能麵需細細般司又采顧掺杂N酵■作为背场,通大,能源储备量已不能满足人类的需求。太阳能过用背场光生少子的势皇效果减少光生少子在由于具有储量大、便于采集、长久和绿色环保等 电池背部的表面复合,再一

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