用硅烷和甲烷辉光放电法制备的a-Si_xC_(1-x):H薄膜及光电性能的研究

【摘要】：本文主要介绍了应用SiH_4+CH_4的辉光放电法制备光电性能优良的a-si_xC_(1-x):H薄膜的最佳工艺条件、红外吸收谱、光隙E_(opt)同x的关系以及ESCA测量结果。我们还得到了光电导率与暗电导率比σ_P/σ_D与分压比G之间的经验公式σ_P/σ_D=C_0(1.3-G)~(-8)。文中还对这些实验结果进行了初步讨论。 【作者单位】： 兰州大学物理系 兰州大学物理系 兰州大学物理系 兰州大学物理系 兰州大学物理系
【关键词】： 辉光放电法 光电性能 a-Si 硅烷 H膜 甲烷 光隙 ESCA分析 电子结合能 C含量
【正文快照】： 一、引言 自从1977年Anderson和Spear首次用硅烷和乙烯的辉光放电法沉积a一51二C卜二薄膜以来山,已有不少人在这方面开展了较系统的研究工作。Wiede等人用SIH;和CzH;混合气体的辉光放电法制备了a一51二C卜二:H薄膜,并对它进行了详细的红外分析卿。Engemann等人研究了以同样的

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