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嵌入a-Si∶H薄层的μc-Si/c-Sipn异质结太阳能电池热平衡态特性的数值模拟分析

来源:论文学术网
时间:2024-08-18 20:14:54
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嵌入a-Si∶H薄层的μc-Si/c-Sipn异质结太阳能电池热平衡态特性的数值模拟分析【摘要】:应用计算机数值模拟方法计算p+ (μc-Si∶H) /n (c-Si) 及p+ (

【摘要】:应用计算机数值模拟方法计算p+ (μc-Si∶H) /n (c-Si) 及p+ (μc-Si∶H) /i (a-Si∶H) /n (c-Si) 异质结太阳能电池中的电场强度分布, 说明μc-Si/c-Si异质结电池制造中μc-Si∶H 膜厚选择,进而对嵌入a-Si∶H 薄层的μc-Si/c-Si异质结太阳能电池设计进行分析, 包括a-Si∶H 薄层p 型掺杂效应及本底单晶硅的电阻率选择, 最后讨论μc-Si/c-Si异质结太阳能电池稳定性 【作者单位】: 中国科学技术大学物理系!合肥230026
【关键词】异质结太阳能电池 Newton-Raphson解法 μc-Si∶H隙态密度分布 载流子收集
【基金】:国家自然科学基金 安徽省自然科学基金
【分类号】:TM914.4
【正文快照】: 1 引 言μc-Si/c-Sipn异质结太阳能电池是通过化学汽相沉积(PECVD)[1]或辉光放电(GD)[2,3]技术把μc-Si∶H薄膜直接沉积于n型单晶硅n(c-Si)本底材料上而成的,沉积温度低于220℃,从而避免采用传统的高温(>900℃)扩

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