CdTe清洁表面的微观平整性研究

【摘要】：采用氩离子刻蚀加退火获得了CdTe(111)A清洁表面。分析了角分辨光电子能谱和反射式高能电子衍射花样。结果表明:晶面经清洁处理后出现了局域台阶,而刻蚀力度局部的差别造成宏观不平整。另外,表面没有明显的三维凸起等不平整的原子结构,在二维尺度上平整有序。 【作者单位】： 西北工业大学材料学院;
【关键词】： 氩离子刻蚀 局域台阶 原子有序性 平整性
【分类号】：TN304.2
【正文快照】： Cd Te是闪锌矿型化合物半导体材料,因其光化学稳定性好、发光效率高、发射光谱窄并且对称[1-3]等优点,被广泛用于太阳能电池、γ和X射线分光仪、量子点材料及生物传感器等[4-5],还成为了II-VI族半导体薄膜材料的理想衬底[6-7]。此外,Cd Te还被证实是产生量子自旋霍尔效应的母

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