a-Si/CIS叠层太阳能电池的光诱导性能衰退和稳定性分析

【摘要】：基于pin结构a Si∶H太阳能电池中的空间电荷效应 ,讨论a Si/CIS叠层太阳能电池的稳定性。结果表明 ,光生空穴俘获造成的a Si∶H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布 ,普遍抬高a Si∶H薄膜中电场强度。在光照射下 ,空间电荷效应不会给a Si/CIS叠层结构中的a Si∶H薄膜带来准中性区 (低场“死层”) ,因而没有发生a Si/CIS叠层太阳能电池顶电池 (p i na Si∶H)的光诱导性能衰退 ,a Si/CIS叠层结构太阳能电池具有较高的光稳定性。 【作者单位】： 中国科学技术大学物理系 中国科学技术大学物理系
【关键词】： a-Si∶H光诱导性能衰退 a-Si∶H隙态密度分布 Newton-Raphson解法
【基金】：国家自然科学基金资助项目 (No .698760 2 4)
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： ａ Ｓｉ∶Ｈ太阳能电池问世开创了廉价、大面积、高效率太阳能电池制造与应用的新时代 ,但人们很快就发现 ,在长期光的辐照下 ,ａ Ｓｉ∶Ｈ太阳能电池性能如能量转换效率等发生衰退 ,影响其实际应用。长期以来 ,人们为了制造高稳定性ａ Ｓｉ∶Ｈ太阳能电池进行了不懈的努力 ,

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