GaAs/Ge太阳能电池电极银镀层结合力的研究

【摘要】：采用自制的LP-MOCVD设备,在Ge衬底外延生长出GaAs电池结构,并对电池结构片进行了后工艺制作,同时对电极制作中银镀层结合力的影响因素进行了研究。研究结果表明选择带电入池,无冲击电流方式时,可增强银镀层的结合力。同时采用扫描电子显微镜(SEM)和电子微探针对n型Ge衬底上AuGeNi背电极不同层面的成分进行了分析测试.测试数据表明钨污染将会使银镀层结合力变差。 【作者单位】： 长安大学理学院 中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室 中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室 中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室
【关键词】： 电镀银 GaAs/Ge 太阳电池 结合力
【分类号】：TM914
【正文快照】： 1引言 太阳能电池发电具有许多优点,如安全可靠,无噪声,无污染,能量随处可得,无需消耗燃料,无机械转动部件,维护简便,可以无人值守,建设周期短,规模大小随意,可以方便地与建筑物相结合等111。这些优点使得世界各国对太阳能发电充满了浓厚的兴趣。到2030年,光伏发电在世界总发

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