能带匹配对HIT型太阳能电池性能的影响

【摘要】：运用AFORS-HET软件对结构为TCO/a-Si:H(n)/a-Si:H(i)/c-Si(p)/μc-Si(p+)/Ag的太阳能电池的能带匹配进行了模拟。结果表明:TCO功函数与n层带隙宽度的匹配对于电池的填充因子与转换效率有较大影响。本征层与衬底之间的界面态使得电池的各项参数均降低,而两层之间价带补偿的增大可减弱界面态对于电池性能的影响。背场提高电池性能的主要原因是通过背场与衬底之间的电场来实现的,与两者之间的能带补偿关系不大。 【作者单位】： 太原科技大学应用科学学院;
【关键词】： HIT型太阳能电池 禁带宽度 能带补偿 界面态 AFORS-HET
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 引言HIT型太阳能电池由日本的三洋公司于1990年开始研究[1],其基本结构与传统的异质结太阳能电池的区别在于:在非晶硅窗口层与晶体硅吸收层之间插入了没有掺杂的本征非晶层,起到钝化界面的效果,极大地改善了异质结界面,提高了太阳能电池的效率[2-3]。晶体硅太阳能电池技术成熟

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