GaN 氮化镓市场调查：2021 年增长率可达 90.6%

IT之家3月13日消息 TrendForce 集邦咨询近日发布了 GaN 氮化镓市场调查报告。报告显示，尽管 2018 年至 2020 年以氮化镓为代表的第三代半导体产业受到贸易摩擦、疫情影响增长受到压力，但 2021 年该产业成长动能有望高速回升，预计 GaN 氮化镓功率器件市场规模将达到 6100 万美元，年增长率达到 90．6％。

TrendForce 详细介绍了作出此预测的原因。首先，新冠疫苗的问世有望缓解全球疫情，进而带动工业能源转换所需零组件如逆变器、变频器等，以及通讯基站需求回稳。其次，随着特斯拉 Model 3 电动车逆变器逐渐采用 SiC 碳化硅器件，第三代半导体于车用市场逐渐备受重视。最后，中国政府为提升半导体自主化，今年提出十四五计划投入巨额人民币扩大产能，上述都将成为推升 2021 年 GaN 及 SiC 等第三代半导体高速成长的动能。

IT之家获悉，GaN 器件的制造主力以 6 英寸晶圆为主，但台积电、VIS 等代工厂尝试引入 8 英寸晶圆生产氮化镓器件。TrendForce 预期 2021 年通讯及功率器件营收分别为 6．8 亿和 6，100 万美元，年增 30．8％ 及 90．6％。

研究机构表示，GaN 功率器件年增最高的主因是手机品牌如小米（Xiaomi）、OPPO、Vivo 自 2018 年起率先推出快速充电头，凭借高散热效能与体积小的产品优势获得消费者青睐，截至目前笔电厂商也有意跟进。预计 GaN 器件会持续渗透至手机与笔电配件，且年增率将在 2022 年达到最高峰，后续随着厂商采用逐渐普及，成长动能将略为趋缓。

针对 SiC 碳化硅器件，由于通讯及功率领域皆需使用该衬底，6 英寸晶圆的供应量显得吃紧，预估 2021 年 SiC 器件于功率领域营收可达 6．8 亿美元，年增 32％。目前各大衬底商如科锐（CREE）、贰陆（II－VI）、意法半导体（STMicroelectronics）等已陆续开展 8 英寸衬底研制计划，但仍有待 2022 年后才有望逐渐纾缓供给困境。

来源：IT之家