武汉理工大学科研团队在场效应储能芯片研究上取得新进展

【武汉理工大学科研团队在场效应储能芯片研究上取得新进展】：集微网消息，据科技日报报道，武汉理工大学麦立强教授团队在场效应储能芯片研究上取得新进展，相关成果在《细胞》杂志子刊《化学》上发表。该团队在储能芯片领域，设计构筑了第一个单根纳米线电化学储能器件，实现单纳米基元电化学储能器件从0到1的突破，进而研制出多点接触型等10套单纳米基元微纳电化学器件。据介绍，储能芯片是支撑车联网、智慧农业、医疗无线监测等技术发展的核心器件。本研究工作通过设计构筑场效应储能芯片，实现电化学工况下材料费米面梯度的原位调控和性能提升。施加场效应后，离子迁移速率提高10倍，材料容量提高3倍以上。本研究得到国家重点研发计划和国家重大科研仪器研制项目的支持。