国芯思辰|混合式碳化硅分立器件用于便携储能，效率提升0.2%-0.4%

【国芯思辰|混合式碳化硅分立器件用于便携储能，效率提升0.2%-0.4%】：在低碳新时代电力市场的需求下，便携式储能绿色无污染、大容量、大功率，在储能市场需求持续呈现上升趋势。随着便携储能电源应用领域不断增加，需要提升电源系统功率密度、使用更高的主开关频率。基本半导体推出了BGH75N65HF1混合碳化硅分立器件，包含650V与1200V，该器件将传统的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封，在部分应用中可以替代传统的IGBT，大幅降低了IGBT的开关损耗，特别适用于对功率密度提升有需求。然而改成混管后效率会提升多少，答案是0.2-0.4%，这是在客户的buck-boost中实战得到的数据。