方俊锋AM：19.84%效率，贫铅表面抛光用于高效倒置CsPbI3钙钛矿太阳能电池

【方俊锋AM：19.84%效率，贫铅表面抛光用于高效倒置CsPbI3钙钛矿太阳能电池】：CsPbI3钙钛矿开发高效稳定的单结和串联结构光伏器件方面具有广阔的前景。然而，实现提供良好稳定性并与串联设备兼容的倒置电池仍然是一个挑战，而且深入的见解仍然难以理解。中国科学院宁波材料技术与工程研究所方俊锋等人研究发现CsPbI3的表面成分本质上是贫铅的，并且相关的陷阱是具有局部状态的p 型。这些深能级p陷阱在CsPbI3/PCBM界面处引起劣质电子转移和严重的非辐射复合，导致开路电压 损失和填充因子 显著降低。抛光处理明显提高了倒置CsPbI3光伏器件的FF和Voc，效率从12.64%提高到19.84%。此外，优化后的器件在输出运行1000小时后仍保持95%的初始效率。